Introducción: Semiconductor láser máquina de marcado es la longitud de onda de láser de semiconductor 0.808um bombeado por diodo Nd: YAG medio, los medios de comunicación tienen una gran cantidad de inversión para formar el pulso gigante láser de longitud de onda de salida 1.064um en el papel de Q-switch, la eficiencia de conversión electro-óptica alta. Controlado por ordenador galvanómetro rayo láser por el cambio de la trayectoria óptica del haz de láser de marcado automático. Estas máquinas tienen una peque?a mancha, alta marca precisión, detectar fiable, rápida, fácil de marcar depuración efecto, y bajo consumo de energía, bajo costo, componentes importantes ópticos son importados de Europa y América, el sistema óptico es estructura totalmente sellada para satisfacer el funcionamiento a plena carga 24-horas continua. Características: buena estabilidad utilizando la tecnología de semiconductores para reemplazar la tecnología de vacío de poder tradicional. Fuente de excitación para reemplazar el uso de la lámpara de alta potencia matriz de semiconductores de criptón, que se extiende en gran medida la vida útil del producto y la estabilidad del sistema. Alta eficiencia láser bombeado por diodo marcado calidad del haz de salida del sistema es mucho más alto que el sistema de láser ordinario (más ancho de línea puede llegar a 0,015 mm), la eficiencia del procesamiento y la calidad de los mismos criptón láser bombeado por lámpara de salida de potencia. Alta precisión láser de diodo-bombeado marca modelo más casi ideal de calidad del haz de salida del sistema, la calidad de láser de alta precisión que marca la apertura opcional diferente (0.8 ~ 2.6mm) del diafragma, disponibles en diferentes tama?os de salida de punto, lucha garantizar apuntar exactitud. Más adecuado para el procesamiento ultra-fino, mínimo tama?o de la fuente hasta 0,2 mm, marcado láser de precisión a un nuevo orden de magnitud. Fácil de utilizar el sistema operativo Windows XP, marcando software es interfaz sencilla y amigable con gráficos de gran alcance y la velocidad de procesamiento auto ultrafinas óptica, el galvanómetro más rápido que los sistemas láser tradicionales. Matriz de semiconductores eficiente sistema de marcado láser semiconductor Bajo consumo de energía, la eficiencia de conversión de láser muy mejorado, el consumo de energía del sistema en general no supera los 1500 W, sólo una cuarta parte de los mismos sistemas de láser bombeado por lámpara de criptón poder. Alta fiabilidad y la integración del sistema de alta y media, no hay fuentes de alimentación de alta tensión, dispositivos de alto voltaje, garantizar en gran medida la fiabilidad del sistema. No sólo suministros puro reciclaje de agua y el filtro en general, no hay necesidad de reemplazar las lámparas de criptón y otros suministros, reducir los costos de operación del sistema. Peque?o volumen de clientes de ayuda del sistema de control altamente integrados hacer un mejor uso del espacio de la planta (toda la superficie de menos de 1.5M2). Parámetros técnicos: Gama de SW-DPLM75 máximo Ⅱ 75W de potencia de láser de longitud de onda láser 1064nm tasa de repetición del láser de marcado estándar 50Hz 100 * 100 mm Opcional marcado 50 * 50m m 150 * 150m m 200 * 200m m 300 * 300m m calidad del haz <62 Profundidad de marcado ≤ 1.8 mm velocidad de la línea de talla ≤ 7000mm / s de línea, mínimo ancho de 0.015mm Carácter mínimo de 0,2 mm de repetición ± 0.002mm Potencia consumida ≤ demanda eléctrica 1.8kw 220V ± 10% / 50Hz/30A vida útil del módulo láser> refrigerado por agua 10000H